在2019年IEDM大会上,三星的一个团队展示了一种基于14nm FinFET工艺的144MP图像传感器技术。
主要的挑战是图像传感器需要在一个相对高的电压下工作(2V及以上),所有芯片组设计者的目标是尽可能低的电压,因为这样可以降低功耗和热量。
据三星的研究人员称,14nm FinFET技术将使144MP传感器的功耗降低42%,同时以10fps的速度捕捉图像。对于30-120fps的12MP读数,即录制视频,可以节省高达37%的电能。
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在2019年IEDM大会上,三星的一个团队展示了一种基于14nm FinFET工艺的144MP图像传感器技术。
主要的挑战是图像传感器需要在一个相对高的电压下工作(2V及以上),所有芯片组设计者的目标是尽可能低的电压,因为这样可以降低功耗和热量。
据三星的研究人员称,14nm FinFET技术将使144MP传感器的功耗降低42%,同时以10fps的速度捕捉图像。对于30-120fps的12MP读数,即录制视频,可以节省高达37%的电能。
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